Published October 1, 2020
| Version v1
Publication
Open
Floating GaN whispering gallery mode micro-ring lasing with Burstein–Moss effect
- 1. Nanjing University of Posts and Telecommunications
- 2. Peking University
- 3. Southeast University
Description
A floating GaN micro-ring is fabricated by standard semiconductor technology. Under pump power conditions, ultraviolet lasing with a quality factor of 3600 is obtained. Resonant mode analysis indicates that the lasing spectra contain two types of whispering gallery modes and one type of Fabry–Perót mode. With the increase in pumping power, the state filling induced Burstein–Moss effect is observed and understood through synchronous measurement of photoluminescence and time resolution photoluminescence spectra.
Translated Descriptions
⚠️
This is an automatic machine translation with an accuracy of 90-95%
Translated Description (Arabic)
يتم تصنيع الحلقة الدقيقة العائمة GaN بواسطة تقنية أشباه الموصلات القياسية. في ظل ظروف طاقة المضخة، يتم الحصول على ليزر الأشعة فوق البنفسجية بعامل جودة 3600. يشير تحليل الوضع الرنان إلى أن أطياف الليزر تحتوي على نوعين من أوضاع المعرض الهامسة ونوع واحد من وضع فابري- بيروت. مع الزيادة في قوة الضخ، تتم ملاحظة وفهم تأثير بورشتاين- موس المستحث بالملء من خلال القياس المتزامن للتلألؤ الضوئي وأطياف التلألؤ الضوئي ذات الدقة الزمنية.Translated Description (French)
Un micro-anneau de GaN flottant est fabriqué par une technologie de semi-conducteur standard. Dans des conditions de puissance de pompe, un laser ultraviolet avec un facteur de qualité de 3600 est obtenu. L'analyse en mode résonnant indique que les spectres lasants contiennent deux types de modes de galerie chuchotante et un type de mode Fabry-Perót. Avec l'augmentation de la puissance de pompage, l'effet Burstein–Moss induit par le remplissage d'état est observé et compris par la mesure synchrone des spectres de photoluminescence et de photoluminescence à résolution temporelle.Translated Description (Spanish)
Un microanillo flotante de GaN está fabricado con tecnología de semiconductores estándar. En condiciones de potencia de bombeo, se obtiene láser ultravioleta con un factor de calidad de 3600. El análisis del modo resonante indica que los espectros láser contienen dos tipos de modos de galería de susurros y un tipo de modo Fabry-Perót. Con el aumento de la potencia de bombeo, el efecto Burstein–Moss inducido por el estado de llenado se observa y comprende a través de la medición sincrónica de los espectros de fotoluminiscencia y fotoluminiscencia de resolución temporal.Files
5.0015222.pdf
Files
(93 Bytes)
| Name | Size | Download all |
|---|---|---|
|
md5:b0d506893d4802090edf1644f5f082cd
|
93 Bytes | Preview Download |
Additional details
Additional titles
- Translated title (Arabic)
- وضع معرض الهمس العائم GaN مع تأثير Burstein - Moss
- Translated title (French)
- Micro-anneau en mode galerie chuchotant GaN flottant avec effet Burstein–Moss
- Translated title (Spanish)
- Microanillo flotante modo galería susurrante GaN con efecto Burstein–Moss
Identifiers
- Other
- https://openalex.org/W3093232624
- DOI
- 10.1063/5.0015222
References
- https://openalex.org/W1987292062
- https://openalex.org/W1996418911
- https://openalex.org/W2009841762
- https://openalex.org/W2050071128
- https://openalex.org/W2062645882
- https://openalex.org/W2106103607
- https://openalex.org/W2118259183
- https://openalex.org/W2130163349
- https://openalex.org/W2137994259
- https://openalex.org/W2547099266
- https://openalex.org/W2760249662
- https://openalex.org/W2769929216
- https://openalex.org/W2785882973
- https://openalex.org/W2786637436
- https://openalex.org/W2789636616
- https://openalex.org/W2806223586
- https://openalex.org/W2916502306
- https://openalex.org/W2943068896
- https://openalex.org/W2947906959
- https://openalex.org/W2995791717
- https://openalex.org/W3000755435
- https://openalex.org/W3010276726