Published January 1, 2021
| Version v1
Publication
Open
High-Performance ZnO Thin-Film Transistors on Flexible PET Substrates With a Maximum Process Temperature of 100 °C
- 1. Peking University
- 2. Institute of Microelectronics
Description
In the present work, we testify a strategy to achieve high-performance ZnO thin film transistors (TFTs) on a flexible PET substrate at a maximum process temperature no more than 100 • C. Interestingly, the ZnO TFTs exhibit superior electrical properties, including a field-effect mobility of 14.32 cm 2 V -1 s -1 , a sub-threshold swing of 0.21 V/decade, and an on-to-off current ratio of 3.03 × 10 7 .Also, ideal uniformity, hysteresis property, contact resistance, and stability are achieved.Threshold voltage shift ( V TH ) under positive and negative bias stress are 0.17 and -0.18 V, respectively.Moreover, the ZnO TFTs manifest good mechanical performance at a bending radius of 10 mm.We expect that our findings propel practical application of the oxide TFTs in flexible electronics.
Translated Descriptions
⚠️
This is an automatic machine translation with an accuracy of 90-95%
Translated Description (Arabic)
في العمل الحالي، نشهد باستراتيجية لتحقيق ترانزستورات ذات غشاء رقيق ZnO عالية الأداء (TFTs) على ركيزة PET مرنة عند درجة حرارة عملية قصوى لا تزيد عن 100 درجة مئوية. ومن المثير للاهتمام أن TFTs ZnO تُظهر خصائص كهربائية فائقة، بما في ذلك حركة تأثير ميداني تبلغ 14.32 سم 2 فولت -1 ثانية -1 ، وتأرجح عتبة فرعية يبلغ 0.21 فولت/عقد، ونسبة تيار مستمر من 3.03 × 10 7. كما يتم تحقيق التوحيد المثالي، وخاصية التباطؤ، ومقاومة التلامس، والاستقرار. يبلغ تحول الجهد العتبي (VH) تحت ضغط التحيز الإيجابي والسالب 0.17 و -0.18 فولت، على التوالي. علاوة على ذلك، تُظهر TFTs ZnO أداءً ميكانيكيًا جيدًا عند نصف قطر انحناء يبلغ 10 مم. نتوقع أن النتائج التي توصلنا إليها تدفع التطبيق العملي لـ TFTs أكسيد في الإلكترونيات المرنة.Translated Description (French)
Dans le présent travail, nous témoignons d'une stratégie visant à obtenir des transistors à couches minces (TFT) ZnO haute performance sur un substrat en PET flexible à une température de processus maximale ne dépassant pas 100 • C. Il est intéressant de noter que les TFT ZnO présentent des propriétés électriques supérieures, notamment une mobilité à effet de champ de 14,32 cm 2 V -1 s -1 , une oscillation sous le seuil de 0,21 V/décennie et un rapport de courant marche/arrêt de 3,03 × 10 7. Également, une uniformité idéale, une propriété d'hystérésis, une résistance de contact et une stabilité sont atteintes. Le décalage de tension de seuil ( V TH ) sous contrainte de polarisation positive et négative est respectivement de 0,17 et -0,18 V. De plus, les TFT ZnO présentent de bonnes performances mécaniques à un rayon de courbure de 10 mm. Nous nous attendons à ce que nos résultats suggèrent une application pratique des TFT à l'oxyde dans l'électronique flexible.Translated Description (Spanish)
En el presente trabajo, testificamos una estrategia para lograr transistores de película delgada (TFT) de ZnO de alto rendimiento en un sustrato de PET flexible a una temperatura de proceso máxima no superior a 100 • C. Curiosamente, los TFT de ZnO exhiben propiedades eléctricas superiores, incluida una movilidad de efecto de campo de 14.32 cm 2 V -1 s -1 , una oscilación por debajo del umbral de 0.21 V/década y una relación de corriente de encendido a apagado de 3.03 × 10 7. También, se logran uniformidad ideal, propiedad de histéresis, resistencia de contacto y estabilidad. El cambio de voltaje umbral ( V TH ) bajo tensión de polarización positiva y negativa son 0.17 y -0.18 V, respectivamente. Además, los TFT de ZnO manifiestan un buen rendimiento mecánico en un radio de flexión de 10 mm. Esperamos que nuestros hallazgos impulsen la aplicación práctica de los TFT de óxido en electrónica flexible.Files
09241768.pdf.pdf
Files
(245 Bytes)
| Name | Size | Download all |
|---|---|---|
|
md5:e1d706bad0d760048654957f3f47fa65
|
245 Bytes | Preview Download |
Additional details
Additional titles
- Translated title (Arabic)
- ترانزستورات ذات طبقة رقيقة عالية الأداء من أكسيد الزنك على ركائز البولي إيثيلين تيرفثالات المرنة مع درجة حرارة معالجة قصوى تبلغ 100 درجة مئوية
- Translated title (French)
- Transistors à film mince ZnO haute performance sur des substrats en PET flexibles avec une température de processus maximale de 100 °C
- Translated title (Spanish)
- Transistores de película delgada de ZnO de alto rendimiento en sustratos flexibles de PET con una temperatura máxima de proceso de 100 °C
Identifiers
- Other
- https://openalex.org/W3096369597
- DOI
- 10.1109/jeds.2020.3034387
References
- https://openalex.org/W1972841314
- https://openalex.org/W1976796882
- https://openalex.org/W2011381029
- https://openalex.org/W2025786590
- https://openalex.org/W2120491593
- https://openalex.org/W2131716975
- https://openalex.org/W2149856173
- https://openalex.org/W2319895062
- https://openalex.org/W2342612709
- https://openalex.org/W2413471669
- https://openalex.org/W2607263498
- https://openalex.org/W2781802536
- https://openalex.org/W2793355244
- https://openalex.org/W2901793754
- https://openalex.org/W2906348455
- https://openalex.org/W2907020778
- https://openalex.org/W2911595037
- https://openalex.org/W2914455427
- https://openalex.org/W2914772123
- https://openalex.org/W2918664767
- https://openalex.org/W2933408711
- https://openalex.org/W2943358761
- https://openalex.org/W2945073613
- https://openalex.org/W2963917347
- https://openalex.org/W2972328896
- https://openalex.org/W2998205306
- https://openalex.org/W3013942080
- https://openalex.org/W3036726893