Diode performance of silica nanoparticles extracted from Pleurosira laevis diatom frustules
- 1. National Research Centre
- 2. Ain Shams University
- 3. Al Azhar University
- 4. Suez University
Description
Abstract In this work, we measured the I-V characteristics of silica nanoparticles (SNPs) extracted from the Pleurosira laevis diatom and deposited on top of a p-type Si(111) wafer. The electric response of the SNPs-based diode is found to be more sensitive to thermal and optical power than the fresh frustules-based diode by about 3 and 5 times, respectively. Moreover, the chemically processed SNPs exhibit better diode parameters, i.e. for them the ideality factor is closer to 1, the series resistance is 3 times lower, and the shunt resistance is 4 times higher than those of the fresh frustules silica. It is stimulating to use the extracted SNPs in innovative electronic and optoelectronic applications as an abundant, cheap, and easy-to-process material.
Translated Descriptions
Translated Description (Arabic)
الملخص في هذا العمل، قمنا بقياس خصائص I - V لجسيمات السيليكا النانوية (SNPs) المستخرجة من Pleurosira laevis diatom وترسبت فوق رقاقة Si(111) من النوع p. تم العثور على الاستجابة الكهربائية للصمام الثنائي القائم على SNPs لتكون أكثر حساسية للطاقة الحرارية والبصرية من الصمام الثنائي الجديد القائم على الإحباط بنحو 3 و 5 مرات، على التوالي. علاوة على ذلك، تُظهر SNPs المعالجة كيميائيًا معلمات صمام ثنائي أفضل، أي بالنسبة لها يكون عامل المثالية أقرب إلى 1، ومقاومة السلسلة أقل 3 مرات، ومقاومة التحويلة أعلى 4 مرات من تلك الموجودة في السيليكا الناقصة الطازجة. من المحفز استخدام النيوكلوتايد المستخرج في التطبيقات الإلكترونية والبصرية المبتكرة كمواد وفيرة ورخيصة وسهلة المعالجة.Translated Description (French)
Résumé Dans ce travail, nous avons mesuré les caractéristiques I-V de nanoparticules de silice (SNP) extraites de la diatomée de Pleurosira laevis et déposées sur une plaquette de Si(111) de type p. La réponse électrique de la diode à base de SNPS s'avère être plus sensible à la puissance thermique et optique que la diode à base de troncs de cône frais d'environ 3 et 5 fois, respectivement. De plus, les SNP traités chimiquement présentent de meilleurs paramètres de diode, c'est-à-dire que pour eux le facteur d'idéalité est plus proche de 1, la résistance série est 3 fois plus faible et la résistance shunt est 4 fois plus élevée que celles de la silice fraîche des troncs de cône. Il est stimulant d'utiliser les SNP extraits dans des applications électroniques et optoélectroniques innovantes en tant que matériau abondant, bon marché et facile à traiter.Translated Description (Spanish)
Resumen En este trabajo, medimos las características I-V de las nanopartículas de sílice (SNP) extraídas de la diatomea de Pleurosira laevis y depositadas sobre una oblea de Si(111) de tipo p. Se encuentra que la respuesta eléctrica del diodo basado en SNP es más sensible a la potencia térmica y óptica que el diodo fresco basado en frústulas en aproximadamente 3 y 5 veces, respectivamente. Además, los SNP procesados químicamente exhiben mejores parámetros de diodo, es decir, para ellos el factor de idealidad es más cercano a 1, la resistencia en serie es 3 veces menor y la resistencia en derivación es 4 veces mayor que las de las frústulas de sílice frescas. Es estimulante utilizar los SNP extraídos en aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas innovadoras como un material abundante, barato y fácil de procesar.Files
s11082-022-04217-2.pdf.pdf
Files
(2.0 MB)
| Name | Size | Download all |
|---|---|---|
|
md5:42e8d908b073c787b7137605cf545400
|
2.0 MB | Preview Download |
Additional details
Additional titles
- Translated title (Arabic)
- أداء الصمام الثنائي لجسيمات السيليكا النانوية المستخرجة من Pleurosira laevis diatom frustules
- Translated title (French)
- Performance de diode des nanoparticules de silice extraites des troncules de diatomées de Pleurosira laevis
- Translated title (Spanish)
- Rendimiento de diodo de nanopartículas de sílice extraídas de frústulas de diatomeas de Pleurosira laevis
Identifiers
- Other
- https://openalex.org/W4313334083
- DOI
- 10.1007/s11082-022-04217-2
References
- https://openalex.org/W1904227570
- https://openalex.org/W1968988283
- https://openalex.org/W1969992859
- https://openalex.org/W1973388128
- https://openalex.org/W1974399746
- https://openalex.org/W1979050952
- https://openalex.org/W1982578916
- https://openalex.org/W1983545250
- https://openalex.org/W1983722172
- https://openalex.org/W1988657596
- https://openalex.org/W1994461663
- https://openalex.org/W1995434170
- https://openalex.org/W2009558651
- https://openalex.org/W2011521723
- https://openalex.org/W2016740020
- https://openalex.org/W2020801755
- https://openalex.org/W2023042819
- https://openalex.org/W2035236528
- https://openalex.org/W2036149370
- https://openalex.org/W2036543589
- https://openalex.org/W2061833861
- https://openalex.org/W2061850626
- https://openalex.org/W2085422712
- https://openalex.org/W2095129576
- https://openalex.org/W2095376066
- https://openalex.org/W2100479677
- https://openalex.org/W2105324952
- https://openalex.org/W2107823369
- https://openalex.org/W2108903629
- https://openalex.org/W2116638804
- https://openalex.org/W2116643706
- https://openalex.org/W2118623143
- https://openalex.org/W2121775434
- https://openalex.org/W2137623445
- https://openalex.org/W2159586092
- https://openalex.org/W2398732622
- https://openalex.org/W2528503930
- https://openalex.org/W2566175625
- https://openalex.org/W2724781106
- https://openalex.org/W2803582958
- https://openalex.org/W28484793
- https://openalex.org/W2883791555
- https://openalex.org/W2910672750
- https://openalex.org/W2977442484
- https://openalex.org/W3012278304
- https://openalex.org/W3082198186
- https://openalex.org/W3200458155
- https://openalex.org/W4220895431