Published March 1, 2020 | Version v1
Publication Metadata-only

Electromagnetic and Thomson effects during photothermal transport process of a rotator semiconductor medium under hydrostatic initial stress

Creators

  • 1. Zagazig University
  • 2. Taibah University
  • 3. Arab Academy for Science, Technology, and Maritime Transport
  • 4. Port Said University
  • 5. Qassim University

Description

The effect of rotation and hydrostatic initial stresses during electromagnetic field which is fallen on the outer surface of semiconductor medium is studied. The Thomson influence in context of photo thermal excitation process is investigated. The thermoelectricity theory is applied explain the waves behavior in the elastic semiconductor homogenous, isotropic medium. The governing equations describe the overlapping between plasma, electro-magnetic and elastic waves in two dimensional deformations when the medium is in rotation. The induced electric current is studied only when the charge density is a function of time. The normal mode analysis is a mathematical method which is used to get the physical fields distributions under investigation. The mechanical forces, electromagnetic effects thermal loads and plasma diffusion recombination process are taken at the outer free surface of the medium to obtain the complete solutions. All distributions of waves of physical quantities are represented graphically and discussed under the influence of rotation, initial stresses and Thomson parameter.

⚠️ This is an automatic machine translation with an accuracy of 90-95%

Translated Description (Arabic)

يتم دراسة تأثير الدوران والضغوط الأولية الهيدروستاتيكية أثناء المجال الكهرومغناطيسي الذي يسقط على السطح الخارجي لوسط أشباه الموصلات. يتم التحقيق في تأثير طومسون في سياق عملية الإثارة الحرارية الضوئية. تشرح نظرية الكهرباء الحرارية سلوك الموجات في الوسط متجانس الخواص شبه الموصل المرن. تصف المعادلات الحاكمة التداخل بين موجات البلازما والكهرومغناطيسية والمرنة في تشوهات ثنائية الأبعاد عندما يكون الوسيط في حالة دوران. تتم دراسة التيار الكهربائي المستحث فقط عندما تكون كثافة الشحنة دالة على الزمن. تحليل الوضع العادي هو طريقة رياضية تستخدم للحصول على توزيعات الحقول المادية قيد التحقيق. يتم أخذ القوى الميكانيكية والتأثيرات الكهرومغناطيسية والأحمال الحرارية وعملية إعادة تركيب انتشار البلازما على السطح الحر الخارجي للوسيط للحصول على المحاليل الكاملة. يتم تمثيل جميع توزيعات موجات الكميات الفيزيائية بيانياً ومناقشتها تحت تأثير الدوران والضغوط الأولية ومعلمة طومسون.

Translated Description (French)

L'effet de la rotation et des contraintes initiales hydrostatiques pendant le champ électromagnétique qui est tombé sur la surface externe du milieu semi-conducteur est étudié. L'influence de Thomson dans le contexte du processus d'excitation photothermique est étudiée. La théorie de la thermoélectricité est appliquée pour expliquer le comportement des ondes dans le milieu homogène et isotrope du semi-conducteur élastique. Les équations qui régissent décrivent le chevauchement entre les ondes plasma, électromagnétiques et élastiques dans les déformations bidimensionnelles lorsque le milieu est en rotation. Le courant électrique induit n'est étudié que lorsque la densité de charge est fonction du temps. L'analyse en mode normal est une méthode mathématique qui est utilisée pour obtenir les distributions des champs physiques à l'étude. Les forces mécaniques, les charges thermiques à effets électromagnétiques et le processus de recombinaison par diffusion de plasma sont pris à la surface libre externe du milieu pour obtenir les solutions complètes. Toutes les distributions d'ondes de grandeurs physiques sont représentées graphiquement et discutées sous l'influence de la rotation, des contraintes initiales et du paramètre de Thomson.

Translated Description (Spanish)

Se estudia el efecto de la rotación y las tensiones iniciales hidrostáticas durante el campo electromagnético que cae sobre la superficie exterior del medio semiconductor. Se investiga la influencia de Thomson en el contexto del proceso de excitación fototérmica. Se aplica la teoría de la termoelectricidad para explicar el comportamiento de las ondas en el medio elástico semiconductor homogéneo, isotrópico. Las ecuaciones de gobierno describen la superposición entre ondas de plasma, electromagnéticas y elásticas en deformaciones bidimensionales cuando el medio está en rotación. La corriente eléctrica inducida se estudia solo cuando la densidad de carga es una función del tiempo. El análisis de modo normal es un método matemático que se utiliza para obtener las distribuciones de campos físicos bajo investigación. Las fuerzas mecánicas, las cargas térmicas de efectos electromagnéticos y el proceso de recombinación por difusión de plasma se toman en la superficie libre exterior del medio para obtener las soluciones completas. Todas las distribuciones de ondas de cantidades físicas se representan gráficamente y se discuten bajo la influencia de la rotación, las tensiones iniciales y el parámetro de Thomson.

Additional details

Additional titles

Translated title (Arabic)
التأثيرات الكهرومغناطيسية وطومسون أثناء عملية النقل الحراري الضوئي لوسط أشباه الموصلات الدوارة تحت الضغط الأولي الهيدروستاتيكي
Translated title (French)
Effets électromagnétiques et de Thomson pendant le processus de transport photothermique d'un milieu semi-conducteur de rotateur sous contrainte initiale hydrostatique
Translated title (Spanish)
Efectos electromagnéticos y de Thomson durante el proceso de transporte fototérmico de un medio semiconductor rotador bajo tensión inicial hidrostática

Identifiers

Other
https://openalex.org/W3003270083
DOI
10.1016/j.rinp.2020.102983

Is supplement to
https://openalex.org/W4382753160 (Other)
https://openalex.org/W4320084277 (Other)
https://openalex.org/W4298134547 (Other)
https://openalex.org/W2794789911 (Other)
https://openalex.org/W2284229495 (Other)
https://openalex.org/W2122976425 (Other)
https://openalex.org/W2088773039 (Other)
https://openalex.org/W2028697747 (Other)
https://openalex.org/W1994881304 (Other)
https://openalex.org/W1976929492 (Other)

GreSIS Basics Section

Is Global South Knowledge
Yes
Country
Egypt

References

  • https://openalex.org/W1972216284
  • https://openalex.org/W1973038067
  • https://openalex.org/W1974012238
  • https://openalex.org/W1992623540
  • https://openalex.org/W1996555851
  • https://openalex.org/W2000761434
  • https://openalex.org/W2016222110
  • https://openalex.org/W2021253354
  • https://openalex.org/W2021918231
  • https://openalex.org/W2037016336
  • https://openalex.org/W2052473224
  • https://openalex.org/W2093126125
  • https://openalex.org/W2097107290
  • https://openalex.org/W2332144748
  • https://openalex.org/W2462235112
  • https://openalex.org/W2589750688
  • https://openalex.org/W2612985901
  • https://openalex.org/W2616942807
  • https://openalex.org/W2619509482
  • https://openalex.org/W2789576804
  • https://openalex.org/W2888456606
  • https://openalex.org/W2908621974
  • https://openalex.org/W2918309327
  • https://openalex.org/W2922798856
  • https://openalex.org/W4230822328
  • https://openalex.org/W4237472979
  • https://openalex.org/W4241870272