Published January 1, 2019
| Version v1
Publication
Open
Robust Gate Driver on Array Based on Amorphous IGZO Thin-Film Transistor for Large Size High-Resolution Liquid Crystal Displays
Creators
- 1. Peking University
- 2. Shanghai Jiao Tong University
Description
Amorphous IGZO thin-film transistors (TFTs) in an etch stop layer (ESL) structure was processed on 2500 mm × 2200 mm size substrate. The fabricated devices exhibit enhancement mode characteristics, and excellent uniformity over large area. The presented good operational stabilities under both positive gate bias temperature stress (PBTS) and negative gate bias temperature stress (NBTS) tests can well meet the requirements for pixel switching. However, considering even threshold voltage shift under long term positive bias stress might affect proper operation of the gate driver on array (GOA), a design with a pulse gating scheme is proposed, consisting of 13 TFTs and 1 capacitor, to avoid long term continuous bias stressing of the TFT. With the proposed GOA design, a 32-inch QUHD (7680×4320) highresolution liquid crystal display (LCD) panel with a 7 mm wide bezel is achieved. The reliability of the GOA circuit is well proved through standard aging tests.
Translated Descriptions
⚠️
This is an automatic machine translation with an accuracy of 90-95%
Translated Description (Arabic)
تمت معالجة ترانزستورات الأغشية الرقيقة غير المتبلورة IGZO (TFTs) في بنية طبقة توقف الحفر (ESL) على ركيزة بحجم 2500 مم × 2200 مم. تُظهر الأجهزة المصنعة خصائص وضع التحسين، وتوحيدًا ممتازًا على مساحة كبيرة. يمكن أن تفي الثباتات التشغيلية الجيدة المقدمة في ظل كل من اختبارات إجهاد درجة حرارة التحيز الإيجابي للبوابة واختبارات إجهاد درجة حرارة التحيز السلبي للبوابة بمتطلبات تبديل البكسل. ومع ذلك، مع الأخذ في الاعتبار أن تحول الجهد العتبي في ظل إجهاد التحيز الإيجابي على المدى الطويل قد يؤثر على التشغيل السليم لمحرك البوابة على المصفوفة (GOA)، يُقترح تصميم مع مخطط بوابة النبض، يتكون من 13 TFTs ومكثف واحد، لتجنب التحيز المستمر على المدى الطويل إجهاد TFT. مع تصميم GOA المقترح، يتم تحقيق شاشة عرض بلورية سائلة عالية الدقة مقاس 32 بوصة (7680×4320) مع إطار بعرض 7 مم. تم إثبات موثوقية دائرة جوا بشكل جيد من خلال اختبارات التقادم القياسية.Translated Description (French)
Des transistors à couche mince IGZO amorphes (TFT) dans une structure de couche d'arrêt de gravure (ESL) ont été traités sur un substrat de taille 2500 mm × 2200 mm. Les dispositifs fabriqués présentent des caractéristiques de mode d'amélioration et une excellente uniformité sur une grande surface. Les bonnes stabilités opérationnelles présentées dans les tests de contrainte de température de polarisation de grille positive (PBT) et de contrainte de température de polarisation de grille négative (NBTS) peuvent bien répondre aux exigences de commutation de pixels. Cependant, étant donné que même un décalage de tension de seuil sous une contrainte de polarisation positive à long terme pourrait affecter le bon fonctionnement du circuit d'attaque de grille sur le réseau (GOA), une conception avec un schéma de porte à impulsions est proposée, composée de 13 TFT et d'un condensateur, pour éviter une contrainte de polarisation continue à long terme du TFT. Avec la conception GOA proposée, un écran à cristaux liquides (LCD) haute résolution QUHD de 32 pouces (7680×4320) avec une lunette de 7 mm de large est réalisé. La fiabilité du circuit de GOA est bien prouvée par des tests de vieillissement standard.Translated Description (Spanish)
Los transistores de película delgada (TFT) IGZO amorfos en una estructura de capa de detención de grabado (ESL) se procesaron en un sustrato de tamaño de 2500 mm × 2200 mm. Los dispositivos fabricados exhiben características de modo de mejora y una excelente uniformidad en un área grande. Las buenas estabilidades operativas presentadas tanto en las pruebas de tensión de temperatura de polarización de puerta positiva (PBTS) como de tensión de temperatura de polarización de puerta negativa (NBTS) pueden cumplir los requisitos para la conmutación de píxeles. Sin embargo, considerando que incluso el cambio de voltaje umbral bajo tensión de polarización positiva a largo plazo podría afectar el funcionamiento adecuado del controlador de compuerta en la matriz (GOA), se propone un diseño con un esquema de compuerta de pulso, que consiste en 13 TFT y 1 condensador, para evitar la tensión de polarización continua a largo plazo del TFT. Con el diseño GOA propuesto, se logra un panel de pantalla de cristal líquido (LCD) de alta resolución QUHD (7680×4320) de 32 pulgadas con un bisel de 7 mm de ancho. La fiabilidad del circuito de GOA está bien probada a través de pruebas de envejecimiento estándar.Files
08760363.pdf.pdf
Files
(245 Bytes)
| Name | Size | Download all |
|---|---|---|
|
md5:53f34b39cf788d8c9ba007106d06ad12
|
245 Bytes | Preview Download |
Additional details
Additional titles
- Translated title (Arabic)
- محرك بوابة قوي على المصفوفة يعتمد على ترانزستور الأغشية الرقيقة IGZO غير المتبلور لشاشات الكريستال السائل عالية الدقة كبيرة الحجم
- Translated title (French)
- Pilote de porte robuste sur réseau basé sur un transistor à film mince IGZO amorphe pour écrans à cristaux liquides haute résolution de grande taille
- Translated title (Spanish)
- Controlador de compuerta robusto en matriz basado en transistor de película delgada IGZO amorfo para pantallas de cristal líquido de gran tamaño y alta resolución
Identifiers
- Other
- https://openalex.org/W2957783841
- DOI
- 10.1109/jeds.2019.2919677
References
- https://openalex.org/W1527774293
- https://openalex.org/W1976336665
- https://openalex.org/W2098014206
- https://openalex.org/W2099355452
- https://openalex.org/W2126585232
- https://openalex.org/W2129440514
- https://openalex.org/W2146113973
- https://openalex.org/W2194175822
- https://openalex.org/W2214721081
- https://openalex.org/W2313760007
- https://openalex.org/W2324082718
- https://openalex.org/W2327212372
- https://openalex.org/W2394702468
- https://openalex.org/W2620910817
- https://openalex.org/W2621258436
- https://openalex.org/W2781802536
- https://openalex.org/W2794975997