Published January 1, 2018
| Version v1
Publication
Open
Study of HCI Reliability for PLDMOS
Creators
- 1. Asia University
- 2. Peking University
- 3. China Medical University Hospital
- 4. China Medical University
Description
In this paper, we demonstrate electrical degradation due to hot carrier injection (HCI) stress for PLDMOS device. The lower gate current and the IDsat degradation at low gate voltage (VGS) and high drain voltage (VDS) is investigated. Hot Electrons, generated by impact ionization during stress, are injected into the gate oxide, creating negative fixed oxide charges and interface-states above the accumulation region and the channel. Increase of the drain-source current is induced by the negative fixed oxide charges. The physical model of the degradation has been proven combining experimental data and TCAD simulations.
Translated Descriptions
⚠️
This is an automatic machine translation with an accuracy of 90-95%
Translated Description (Arabic)
في هذه الورقة، نوضح التدهور الكهربائي بسبب إجهاد الحقن بالحامل الساخن (HCI) لجهاز PLDMOS. يتم فحص تيار البوابة السفلي وتحلل IDsat عند جهد البوابة المنخفض (VGS) وجهد التصريف العالي (VDS). يتم حقن الإلكترونات الساخنة، الناتجة عن التأين التصادمي أثناء الإجهاد، في أكسيد البوابة، مما يخلق شحنات أكسيد ثابتة سالبة وحالات واجهة فوق منطقة التراكم والقناة. تحدث زيادة تيار مصدر التصريف بسبب شحنات الأكسيد الثابتة السالبة. وقد ثبت أن النموذج المادي للتحلل يجمع بين البيانات التجريبية ومحاكاة TCAD.Translated Description (French)
Dans cet article, nous démontrons la dégradation électrique due à la contrainte d'injection de porteurs chauds (HCI) pour le dispositif PLDMOS. Le courant de grille inférieur et la dégradation IDsat à basse tension de grille (VGS) et haute tension de drain (VDS) sont étudiés. Les électrons chauds, générés par l'ionisation par impact pendant la contrainte, sont injectés dans l'oxyde de grille, créant des charges d'oxyde fixes négatives et des états d'interface au-dessus de la région d'accumulation et du canal. L'augmentation du courant drain-source est induite par les charges d'oxyde fixes négatives. Le modèle physique de la dégradation a été prouvé en combinant des données expérimentales et des simulations TCAD.Translated Description (Spanish)
En este documento, demostramos la degradación eléctrica debido al estrés de inyección de portador caliente (HCI) para el dispositivo PLDMOS. Se investiga la corriente de compuerta inferior y la degradación de IDsat a baja tensión de compuerta (VGS) y alta tensión de drenaje (VDS). Los electrones calientes, generados por la ionización de impacto durante el estrés, se inyectan en el óxido de la compuerta, creando cargas de óxido fijas negativas y estados de interfaz por encima de la región de acumulación y el canal. El aumento de la corriente de drenaje-fuente es inducido por las cargas de óxido fijas negativas. Se ha comprobado el modelo físico de la degradación combinando datos experimentales y simulaciones TCAD.Files
matecconf_ici2017_02001.pdf.pdf
Files
(24 Bytes)
| Name | Size | Download all |
|---|---|---|
|
md5:7624dcbc096921e31a1da610e19a546e
|
24 Bytes | Preview Download |
Additional details
Additional titles
- Translated title (Arabic)
- دراسة موثوقية HCI لـ PLDMOS
- Translated title (French)
- Étude de la fiabilité de HCI pour PLDMOS
- Translated title (Spanish)
- Estudio de confiabilidad de HCI para PLDMOS
Identifiers
- Other
- https://openalex.org/W2890704234
- DOI
- 10.1051/matecconf/201820102001
References
- https://openalex.org/W2052508807
- https://openalex.org/W2127413341
- https://openalex.org/W2158059824
- https://openalex.org/W2166125626
- https://openalex.org/W3184689352