Published January 1, 2019 | Version v1
Publication Open

Performance Enhancement of TiZO Thin Film Transistors by Introducing a Thin ITO Interlayer

  • 1. Beijing Microelectronics Technology Institute
  • 2. Peking University
  • 3. Institute of Microelectronics

Description

In order to explore the influence of interlayer between dielectric layer and channel layer on performance of thin film transistors (TFTs), the single layer titanium doped zinc oxide (TiZO) TFTs and the dual layer indium tin oxide (ITO)/TiZO TFTs were fabricated successfully in this work. The effects of interlayer thickness on the performance of TFTs were studied and the optimal thickness condition was obtained. The experimental results indicate that the introduction of interlayer contributes to the improvement of TFT characteristics. In addition, the dual-layer ITO/TiZO TFTs also present a good uniformity, which is suitable for large-area display applications.

⚠️ This is an automatic machine translation with an accuracy of 90-95%

Translated Description (Arabic)

من أجل استكشاف تأثير الطبقة البينية بين طبقة العزل الكهربائي وطبقة القناة على أداء ترانزستورات الأغشية الرقيقة (TFTs)، تم تصنيع TFTs من أكسيد الزنك المنشط أحادي الطبقة (TiZO) وأكسيد قصدير الإنديوم ثنائي الطبقة (ITO)/TiZO TFTs بنجاح في هذا العمل. تمت دراسة تأثيرات سماكة الطبقة البينية على أداء TFTs وتم الحصول على حالة السماكة المثلى. تشير النتائج التجريبية إلى أن إدخال الطبقة البينية يساهم في تحسين خصائص TFT. بالإضافة إلى ذلك، تقدم TFTs ثنائية الطبقة من ITO/TiZO أيضًا توحيدًا جيدًا، وهو مناسب لتطبيقات العرض ذات المساحات الكبيرة.

Translated Description (French)

Afin d'explorer l'influence de l'intercouche entre la couche diélectrique et la couche de canal sur les performances des transistors en couches minces (TFT), les TFT à oxyde de zinc dopé au titane (TiZO) monocouche et les TFT à double couche oxyde d'indium-étain (ITO)/TiZO ont été fabriqués avec succès dans ce travail. Les effets de l'épaisseur de l'intercalaire sur les performances des TFT ont été étudiés et la condition d'épaisseur optimale a été obtenue. Les résultats expérimentaux indiquent que l'introduction de l'intercalaire contribue à l'amélioration des caractéristiques du TFT. En outre, les TFT ITO/TiZO double couche présentent également une bonne uniformité, ce qui convient aux applications d'affichage sur de grandes surfaces.

Translated Description (Spanish)

Con el fin de explorar la influencia de la capa intermedia entre la capa dieléctrica y la capa de canal en el rendimiento de los transistores de película delgada (TFT), los TFT de óxido de zinc dopado con titanio (TiZO) de una sola capa y los TFT de óxido de indio y estaño (Ito)/TiZO de doble capa se fabricaron con éxito en este trabajo. Se estudiaron los efectos del espesor de la capa intermedia en el rendimiento de los TFT y se obtuvo la condición óptima de espesor. Los resultados experimentales indican que la introducción de la capa intermedia contribuye a la mejora de las características de TFT. Además, los TFT Ito/TiZO de doble capa también presentan una buena uniformidad, lo que es adecuado para aplicaciones de visualización de gran superficie.

Files

08891725.pdf.pdf

Files (245 Bytes)

⚠️ Please wait a few minutes before your translated files are ready ⚠️ Note: Some files might be protected thus translations might not work.
Name Size Download all
md5:347e42cd1ac5710c3ac5a56da2b517de
245 Bytes
Preview Download

Additional details

Additional titles

Translated title (Arabic)
تحسين أداء ترانزستورات TIZO ذات الأغشية الرقيقة من خلال تقديم طبقة رقيقة من ITO البينية
Translated title (French)
Amélioration des performances des transistors à couches minces TiZO par l'introduction d'une couche intermédiaire ITO mince
Translated title (Spanish)
Mejora del rendimiento de los transistores de película delgada TiZO mediante la introducción de una capa intermedia de Ito delgada

Identifiers

Other
https://openalex.org/W2986569422
DOI
10.1109/jeds.2019.2951738

GreSIS Basics Section

Is Global South Knowledge
Yes
Country
China

References

  • https://openalex.org/W1969278693
  • https://openalex.org/W1975173121
  • https://openalex.org/W1982544185
  • https://openalex.org/W1982968328
  • https://openalex.org/W1984543679
  • https://openalex.org/W1987449314
  • https://openalex.org/W1987766131
  • https://openalex.org/W1994277498
  • https://openalex.org/W1996519764
  • https://openalex.org/W1997820861
  • https://openalex.org/W2010540469
  • https://openalex.org/W2030195401
  • https://openalex.org/W2031011334
  • https://openalex.org/W2045902522
  • https://openalex.org/W2070757741
  • https://openalex.org/W2117386062
  • https://openalex.org/W2131716975
  • https://openalex.org/W2133119662
  • https://openalex.org/W2156139308
  • https://openalex.org/W2157046522
  • https://openalex.org/W2162940907
  • https://openalex.org/W2317457509
  • https://openalex.org/W2556505292
  • https://openalex.org/W2790481927
  • https://openalex.org/W2883215706
  • https://openalex.org/W2901962847