Impact of QW coupling on the binding energy in InGaN/GaN under the effects of the size, the impurity and the internal composition
- 1. Selçuk University
- 2. Sidi Mohamed Ben Abdellah University
- 3. University of Hassan II Casablanca
Description
In the present paper, the binding energy of hydrogenic shallow-donor impurity in simple and double coupled quantum wells based on unstrained wurtzite (In,Ga)N/GaN is investigated. Considering the effective-mass and dielectric mismatches between the well and its surrounding matrix, the numerical calculations are performed within the framework of the parabolic band and the single band effective-mass approximations under the finite potential barrier using finite element method (FEM). According to our results, it appears that the main effect of the wells coupling is to enhance the binding energy. It is also obtained that the binding energy is strongly sensitive to the internal and external parameters and can be adjusted by the quantum well/barrier width, the impurity position and the internal Indium composition. Our results are in good agreement with the finding especially for those obtained by the variational approach.
Translated Descriptions
Translated Description (Arabic)
في هذه الورقة، يتم التحقيق في طاقة الربط لشوائب الجهات المانحة الضحلة الهيدروجينية في الآبار الكمومية البسيطة والمزدوجة المقترنة بناءً على الفورتزيت غير المقيد (In،Ga)N/GaN. بالنظر إلى عدم التطابق الفعال للكتلة والعزل الكهربائي بين البئر والمصفوفة المحيطة به، يتم إجراء الحسابات العددية في إطار النطاق المكافئ وتقريبات الكتلة الفعالة أحادية النطاق تحت حاجز الجهد المحدود باستخدام طريقة العنصر المحدود (FEM). وفقًا لنتائجنا، يبدو أن التأثير الرئيسي لاقتران الآبار هو تعزيز طاقة الربط. كما تم الحصول على أن طاقة الربط حساسة بشدة للمعلمات الداخلية والخارجية ويمكن ضبطها من خلال عرض البئر/الحاجز الكمومي وموضع الشوائب وتكوين الإنديوم الداخلي. تتوافق نتائجنا بشكل جيد مع النتيجة خاصة بالنسبة لتلك التي تم الحصول عليها من خلال النهج المتغير.Translated Description (French)
Dans le présent article, l'énergie de liaison de l'impureté donneuse peu profonde hydrogénique dans des puits quantiques couplés simples et doubles à base de wurtzite (In,Ga)N/GaN non contraint est étudiée. Compte tenu des mésappariements de masse effective et diélectrique entre le puits et sa matrice environnante, les calculs numériques sont effectués dans le cadre de la bande parabolique et des approximations de masse effective à bande unique sous la barrière de potentiel fini en utilisant la méthode des éléments finis (FEM). Selon nos résultats, il apparaît que l'effet principal du couplage des puits est d'améliorer l'énergie de liaison. Il est également obtenu que l'énergie de liaison est fortement sensible aux paramètres internes et externes et peut être ajustée par la largeur du puits quantique/de la barrière, la position de l'impureté et la composition interne de l'indium. Nos résultats sont en bon accord avec le constat surtout pour ceux obtenus par l'approche variationnelle.Translated Description (Spanish)
En el presente documento, se investiga la energía de unión de la impureza del donante superficial de hidrógeno en pozos cuánticos acoplados simples y dobles basados en wurtzita no deformada (In,Ga)N/GaN. Teniendo en cuenta los desajustes de masa efectiva y dieléctricos entre el pozo y su matriz circundante, los cálculos numéricos se realizan dentro del marco de la banda parabólica y las aproximaciones de masa efectiva de banda única bajo la barrera de potencial finito utilizando el método de elementos finitos (FEM). De acuerdo con nuestros resultados, parece que el efecto principal del acoplamiento de los pozos es mejorar la energía de unión. También se obtiene que la energía de unión es muy sensible a los parámetros internos y externos y se puede ajustar por el ancho del pozo cuántico/barrera, la posición de las impurezas y la composición interna del indio. Nuestros resultados concuerdan con el hallazgo especialmente para los obtenidos por el enfoque variacional.Files
matecconf_icome2019_01012.pdf.pdf
Files
(24 Bytes)
| Name | Size | Download all |
|---|---|---|
|
md5:7624dcbc096921e31a1da610e19a546e
|
24 Bytes | Preview Download |
Additional details
Additional titles
- Translated title (Arabic)
- تأثير اقتران QW على طاقة الربط في InGaN/GaN تحت تأثيرات الحجم والشوائب والتركيب الداخلي
- Translated title (French)
- Impact du couplage QW sur l'énergie de liaison en InGaN/GaN sous les effets de la taille, de l'impureté et de la composition interne
- Translated title (Spanish)
- Impacto del acoplamiento QW en la energía de unión en InGaN/GaN bajo los efectos del tamaño, la impureza y la composición interna
Identifiers
- Other
- https://openalex.org/W3109314064
- DOI
- 10.1051/matecconf/202033001012
References
- https://openalex.org/W1967341838
- https://openalex.org/W1968614523
- https://openalex.org/W1971884877
- https://openalex.org/W1977097216
- https://openalex.org/W1977613246
- https://openalex.org/W1978212234
- https://openalex.org/W1978331849
- https://openalex.org/W1987584059
- https://openalex.org/W1989882875
- https://openalex.org/W1994217987
- https://openalex.org/W1995474730
- https://openalex.org/W1998481993
- https://openalex.org/W2000275704
- https://openalex.org/W2010824577
- https://openalex.org/W2014617435
- https://openalex.org/W2015976204
- https://openalex.org/W2019350167
- https://openalex.org/W2029783592
- https://openalex.org/W2035805237
- https://openalex.org/W2037993159
- https://openalex.org/W2046041259
- https://openalex.org/W2053592988
- https://openalex.org/W2061297481
- https://openalex.org/W2087071331
- https://openalex.org/W2094641653
- https://openalex.org/W2122297261
- https://openalex.org/W2150634797
- https://openalex.org/W2154407658
- https://openalex.org/W2320185044
- https://openalex.org/W2590015181
- https://openalex.org/W650684092