Published January 1, 2020
| Version v1
Publication
Open
Nanoparticle floating-gate transistor memory based on solution-processed ambipolar organic semiconductor
Description
Organic thin-film transistor memory based on nano-floating-gate nonvolatile memory was demonstrated by a simple method. The gold nanoparticle that fabricated by thermally evaporated acted as the floating gate. Spin coated PMMA film acted as the tunneling layer. A solution-processed ambipolar semiconductor acted as the active layer. Because of the existence of both hole and electron carriers in bipolar semiconductor materials, it is more conducive to the editing and erasing of memories under positive and negative pressure. The memory based on metal nanoparticles and organic bipolar semiconductor shows good read-write function.
Translated Descriptions
⚠️
This is an automatic machine translation with an accuracy of 90-95%
Translated Description (Arabic)
تم توضيح ذاكرة الترانزستور ذات الأغشية الرقيقة العضوية القائمة على الذاكرة غير المتطايرة ذات البوابة العائمة النانوية بطريقة بسيطة. كانت الجسيمات النانوية الذهبية التي تم تصنيعها بواسطة التبخر الحراري بمثابة البوابة العائمة. كان فيلم PMMA المطلي بالدوران بمثابة طبقة النفق. كان أشباه الموصلات ثنائية القطب المعالجة بالمحلول بمثابة الطبقة النشطة. بسبب وجود كل من حاملات الثقوب والإلكترونات في مواد أشباه الموصلات ثنائية القطب، فهي أكثر ملاءمة لتحرير ومحو الذكريات تحت الضغط الإيجابي والسلبي. تُظهر الذاكرة القائمة على الجسيمات النانوية المعدنية وأشباه الموصلات العضوية ثنائية القطب وظيفة قراءة وكتابة جيدة.Translated Description (French)
La mémoire à transistor à couche mince organique basée sur une mémoire non volatile à grille nano flottante a été démontrée par une méthode simple. La nanoparticule d'or fabriquée par évaporation thermique a servi de porte flottante. Le film PMMA enduit par centrifugation a servi de couche tunnel. Un semi-conducteur ambipolaire traité en solution a agi comme couche active. En raison de l'existence de porteurs de trous et d'électrons dans les matériaux semi-conducteurs bipolaires, il est plus propice à l'édition et à l'effacement des mémoires sous pression positive et négative. La mémoire à base de nanoparticules métalliques et de semi-conducteur bipolaire organique présente une bonne fonction de lecture-écriture.Translated Description (Spanish)
La memoria orgánica de transistor de película delgada basada en memoria no volátil de puerta nanoflotante se demostró mediante un método simple. La nanopartícula de oro que se fabricaba por evaporación térmica actuaba como puerta flotante. La película de PMMA recubierta por centrifugación actuó como la capa de tunelización. Un semiconductor ambipolar procesado en solución actuó como la capa activa. Debido a la existencia de portadores de electrones y huecos en los materiales semiconductores bipolares, es más propicio para la edición y el borrado de memorias bajo presión positiva y negativa. La memoria basada en nanopartículas metálicas y semiconductor bipolar orgánico muestra una buena función de lectura-escritura.Files
e3sconf_iceeb2020_04071.pdf.pdf
Files
(24 Bytes)
| Name | Size | Download all |
|---|---|---|
|
md5:7624dcbc096921e31a1da610e19a546e
|
24 Bytes | Preview Download |
Additional details
Additional titles
- Translated title (Arabic)
- ذاكرة ترانزستور البوابة العائمة للجسيمات النانوية على أساس أشباه موصلات عضوية ثنائية القطب معالجة بالمحلول
- Translated title (French)
- Mémoire à transistor à grille flottante à nanoparticules basée sur un semi-conducteur organique ambipolaire traité en solution
- Translated title (Spanish)
- Memoria de transistor de puerta flotante de nanopartículas basada en semiconductor orgánico ambipolar procesado en solución
Identifiers
- Other
- https://openalex.org/W3082175045
- DOI
- 10.1051/e3sconf/202018504071
References
- https://openalex.org/W1789423340
- https://openalex.org/W2015115152
- https://openalex.org/W2038963248
- https://openalex.org/W2065231231
- https://openalex.org/W2070936237
- https://openalex.org/W2104397805
- https://openalex.org/W4236736721