Published January 4, 2021
| Version v1
Publication
Open
Upping the internal quantum efficiency of green light‐emitting diodes by employing a graded AlGaN barrier and an electron blocking layer
- 1. Ghulam Ishaq Khan Institute of Engineering Sciences and Technology
- 2. Abbottabad University of Science and Technology
Description
Two different device structures are numerically studied, and their optoelectronic characteristics with standard structure are compared. The authors minimized the uneven carrier distribution across the active region. By replacing the first quantum barrier with graded AlGaN and using a graded AlGaN electron blocking layer, in the structure proposed by the authors, the injection of holes into the active region is improved. By using the graded AlGaN barrier, the concentration of injected electrons is also controlled because of the additional barrier height. As a result, the contribution of radiative recombination is boosted. The droop ratio of the proposed structure is reduced to ∼34% at 100 A cm−2 in comparison to other devices.
Translated Descriptions
⚠️
This is an automatic machine translation with an accuracy of 90-95%
Translated Description (Arabic)
تتم دراسة بنيتين مختلفتين للجهاز عدديًا، وتتم مقارنة خصائصهما الإلكترونية الضوئية مع البنية القياسية. قلل المؤلفون من التوزيع غير المتكافئ للناقلات في جميع أنحاء المنطقة النشطة. من خلال استبدال الحاجز الكمومي الأول بـ AlGaN المتدرج واستخدام طبقة حجب إلكترون AlGaN المتدرج، في البنية التي اقترحها المؤلفون، يتم تحسين حقن الثقوب في المنطقة النشطة. باستخدام حاجز AlGaN المتدرج، يتم أيضًا التحكم في تركيز الإلكترونات المحقونة بسبب ارتفاع الحاجز الإضافي. ونتيجة لذلك، يتم تعزيز مساهمة إعادة التركيب الإشعاعي. يتم تقليل نسبة التدلي للهيكل المقترح إلى 34 ٪ عند 100 أمبير سم−2 مقارنة بالأجهزة الأخرى.Translated Description (French)
Deux structures de dispositif différentes sont étudiées numériquement, et leurs caractéristiques optoélectroniques avec une structure standard sont comparées. Les auteurs ont minimisé la distribution inégale des porteurs dans la région active. En remplaçant la première barrière quantique par de l'AlGaN gradué et en utilisant une couche de blocage d'électrons en AlGaN gradué, dans la structure proposée par les auteurs, l'injection de trous dans la région active est améliorée. En utilisant la barrière graduée en AlGaN, la concentration des électrons injectés est également contrôlée en raison de la hauteur supplémentaire de la barrière. En conséquence, la contribution de la recombinaison radiative est renforcée. Le rapport d'affaissement de la structure proposée est réduit à ∼34 % à 100 A cm−2 par rapport aux autres dispositifs.Translated Description (Spanish)
Se estudian numéricamente dos estructuras de dispositivos diferentes y se comparan sus características optoelectrónicas con estructura estándar. Los autores minimizaron la distribución desigual de portadores en la región activa. Mediante la sustitución de la primera barrera cuántica por AlGaN graduado y el uso de una capa de bloqueo de electrones de AlGaN graduado, en la estructura propuesta por los autores, se mejora la inyección de huecos en la región activa. Mediante el uso de la barrera de AlGaN graduada, la concentración de electrones inyectados también se controla debido a la altura adicional de la barrera. Como resultado, se potencia la contribución de la recombinación radiativa. La relación de caída de la estructura propuesta se reduce a ~34% a 100 A cm−2 en comparación con otros dispositivos.Files
ote2.12016.pdf
Files
(15.9 kB)
| Name | Size | Download all |
|---|---|---|
|
md5:ec6a3fedca330f934438b314cffe4c63
|
15.9 kB | Preview Download |
Additional details
Additional titles
- Translated title (Arabic)
- رفع الكفاءة الكمومية الداخلية للصمامات الثنائية الباعثة للضوء الأخضر من خلال استخدام حاجز AlGaN المتدرج وطبقة حجب الإلكترون
- Translated title (French)
- Augmenter l'efficacité quantique interne des diodes électroluminescentes vertes en utilisant une barrière AlGaN graduée et une couche de blocage des électrons
- Translated title (Spanish)
- Aumento de la eficiencia cuántica interna de los diodos emisores de luz verde mediante el empleo de una barrera de AlGaN graduada y una capa de bloqueo de electrones
Identifiers
- Other
- https://openalex.org/W3118817494
- DOI
- 10.1049/ote2.12016
References
- https://openalex.org/W1664710111
- https://openalex.org/W1964527326
- https://openalex.org/W1966513245
- https://openalex.org/W1966610988
- https://openalex.org/W1971606304
- https://openalex.org/W1978598350
- https://openalex.org/W1980137069
- https://openalex.org/W1983965187
- https://openalex.org/W1989841771
- https://openalex.org/W1997867308
- https://openalex.org/W2009768611
- https://openalex.org/W2010099580
- https://openalex.org/W2012694931
- https://openalex.org/W2034937887
- https://openalex.org/W2037054209
- https://openalex.org/W2042579317
- https://openalex.org/W2048415688
- https://openalex.org/W2049713687
- https://openalex.org/W2050080762
- https://openalex.org/W2056248871
- https://openalex.org/W2061898482
- https://openalex.org/W2085615729
- https://openalex.org/W2094395129
- https://openalex.org/W2151699210
- https://openalex.org/W2152430838
- https://openalex.org/W2170576579
- https://openalex.org/W2227773271
- https://openalex.org/W2473593138
- https://openalex.org/W2769175082
- https://openalex.org/W2783971902
- https://openalex.org/W2790693050
- https://openalex.org/W2909546464
- https://openalex.org/W2972866242
- https://openalex.org/W3005930069
- https://openalex.org/W623404088